Fakultät IV – Elektrotechnik und Informatik, Institut für Energie- und Automatisierungstechnik – Leistungselektronik

Studentische Beschäftigung mit 40 Monatsstunden

Ihre Aufgaben

Unterstützung der wissenschaftlichen Arbeit im Projekt„Verbesserung der Robustheit von GaN-Leistungstransistoren durch neuartige GaN-Epi-Wafer mit verbesserter Wärmeabfuhr (RuggedGaN)“, insbesondere:

• Unterstützung beim Aufbau, der Inbetriebnahme und Weiterentwicklung von Mess- und Testinfrastrukturen zur experimentellen Charakterisierung von Leistungshalbleitern (40%)
• Durchführung von Messungen sowie Unterstützung bei der Auswertung und Dokumentation der Ergebnisse (40%)
• Unterstützung bei der Erstellung technischer Berichte (20%)

Ihr Profil

Muss-Kriterien:

• Sehr Gute Kenntnisse der Elektrotechnik, insbesondere von Leistungselektronik oder Halbleiterbauelementen
• Sehr gute Grundlagenkenntnisse der Mess- und Schaltungstechnik
• Gute Deutsch- und oder Englischkenntnisse erforderlich; Bereitschaft, die jeweils fehlenden Sprachkenntnisse zu erwerben

Kann-Kriterien:

• Erfahrung im Schaltungsdesign und Simulation
• Praktische Erfahrung im PCB Layout und Inbetriebnahme
• Programmiererfahrung mit Mikrocontrollern und Python

Hinweise zur Bewerbung

Fachlich verantwortlich / Ansprechpartner:in für die Ausschreibung: Prof. Dr. Sibylle Dieckerhoff / Frau May – sekr@pe.tu-berlin.de
Besetzungszeitraum: 01.06.2026 – 30.04.2027
Bewerbung an: sekr@pe.tu-berlin.de

Ihre schriftliche Bewerbung mit Anschreiben, Lebenslauf, Immatrikulationsbescheinigung und ggf. aktueller Notenübersicht richten Sie bitte unter Angabe der Kennziffer an die o.g. Beschäftigungsstelle.
Zur Wahrung der Chancengleichheit zwischen Männern und Frauen sind Bewerbungen von Frauen mit der jeweiligen Qualifikation ausdrücklich erwünscht. Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt.

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Fakten

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